GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » Darlingtonovy tranzistory
Ic = 1 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 1 A Uce0 = 30 V, Ucb0 = 30 V, Pd = 0,625 W,...
Ic = 4 A, Pd = 40 W, pouzdro TO225 Parametry: Ic = 4 A Uce0 = 45 V, Ucb0 = 45 V, Pd = 40 W, h21E...
Ic = 4 A, Pd = 40 W, pouzdro TO225 Parametry: Ic = 4 A Uce0 = 60 V, Ucb0 = 60 V, Pd = 40 W, h21E...
Ic = 4 A, Pd = 40 W, pouzdro TO225 Parametry: Ic = 4 A Uce0 = 80 V, Ucb0 = 80 V, Pd = 40 W, h21E...
Ic = 4 A, Pd = 40 W, pouzdro TO225 Parametry: Ic = 4 A Uce0 = 100 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 40 W,...
Ic = 10 A, Pd = 70 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 10 A Uce0 = 100 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 70 W,...