[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.7kV
MICROCHIP (MICROSEMI)

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.7kV

MICROCHIP (MICROSEMI) APTGT150DH170G - IGBT modules

Jen na objednávku
(cena s DPH): 7 377.9 Kč
(cena bez DPH): 6 097.5 Kč
Množství 5+ ks Více
Cena/ks 6 097.48 Kč Cena dotazem
Poplatky za dopravu
Načítám možnosti dopravy...
Cena vč. dopravy: Vyberte dopravu
Identifikátor zboží TMEAPTGT150DH170G
Minimální množství 5

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.7kV

ManufacturerMICROCHIP (MICROSEMI)
Type of moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyasymmetrical bridge
Max. off-state voltage1.7kV
Collector current150A
CaseSP6C
Electrical mountingFASTON connectors
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current300A
TechnologyField Stop
TechnologyTrench
Mechanical mountingscrew