[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV
MICROCHIP (MICROSEMI)

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV

MICROCHIP (MICROSEMI) APTGT150DH120G - IGBT modules

Jen na objednávku
(cena s DPH): 5 657.6 Kč
(cena bez DPH): 4 675.7 Kč
Množství 6+ ks Více
Cena/ks 4 675.71 Kč Cena dotazem
Poplatky za dopravu
Načítám možnosti dopravy...
Cena vč. dopravy: Vyberte dopravu
Identifikátor zboží TMEAPTGT150DH120G
Minimální množství 6

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV

ManufacturerMICROCHIP (MICROSEMI)
Type of moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyasymmetrical bridge
Max. off-state voltage1.2kV
Collector current150A
CaseSP6C
Electrical mountingFASTON connectors
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current350A
TechnologyField Stop
TechnologyTrench
Mechanical mountingscrew