[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 600V
MICROCHIP (MICROSEMI)

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 600V

MICROCHIP (MICROSEMI) APTGT50DH60T1G - IGBT modules

Jen na objednávku
(cena s DPH): 1 629.0 Kč
(cena bez DPH): 1 346.3 Kč
Množství 19+ ks Více
Cena/ks 1 346.32 Kč Cena dotazem
Poplatky za dopravu
Načítám možnosti dopravy...
Cena vč. dopravy: Vyberte dopravu
Identifikátor zboží TMEAPTGT50DH60T1G
Minimální množství 19

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 600V

ManufacturerMICROCHIP (MICROSEMI)
Type of moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyasymmetrical bridge
TopologyNTC thermistor
Max. off-state voltage600V
Collector current50A
CaseSP1
Applicationmotors
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current100A
TechnologyField Stop
TechnologyTrench
Mechanical mountingscrew