[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV
MICROCHIP (MICROSEMI)

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV

MICROCHIP (MICROSEMI) APTGT50DH120TG - IGBT modules

Jen na objednávku
(cena s DPH): 2 935.6 Kč
(cena bez DPH): 2 426.1 Kč
Množství 11+ ks Více
Cena/ks 2 426.14 Kč Cena dotazem
Poplatky za dopravu
Načítám možnosti dopravy...
Cena vč. dopravy: Vyberte dopravu
Identifikátor zboží TMEAPTGT50DH120TG
Minimální množství 11

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV

ManufacturerMICROCHIP (MICROSEMI)
Type of moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyasymmetrical bridge
TopologyNTC thermistor
Max. off-state voltage1.2kV
Collector current50A
CaseSP4
Electrical mountingFASTON connectors
Electrical mountingsoldering
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current100A
TechnologyField Stop
TechnologyTrench
Mechanical mountingscrew