[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV
MICROCHIP (MICROSEMI)

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV

MICROCHIP (MICROSEMI) APTGT75DH120T3G - IGBT modules

Jen na objednávku
(cena s DPH): 2 360.5 Kč
(cena bez DPH): 1 950.8 Kč
Množství 13+ ks Více
Cena/ks 1 950.81 Kč Cena dotazem
Poplatky za dopravu
Načítám možnosti dopravy...
Cena vč. dopravy: Vyberte dopravu
Identifikátor zboží TMEAPTGT75DH120T3G
Minimální množství 13

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV

ManufacturerMICROCHIP (MICROSEMI)
Type of moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyasymmetrical bridge
TopologyNTC thermistor
Max. off-state voltage1.2kV
Collector current75A
CaseSP3F
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current175A
TechnologyField Stop
TechnologyTrench
Mechanical mountingscrew