[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 600V
MICROCHIP (MICROSEMI)

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 600V

MICROCHIP (MICROSEMI) APTGT100DH60TG - IGBT modules

Jen na objednávku
(cena s DPH): 2 689.7 Kč
(cena bez DPH): 2 222.9 Kč
Množství 12+ ks Více
Cena/ks 2 222.91 Kč Cena dotazem
Poplatky za dopravu
Načítám možnosti dopravy...
Cena vč. dopravy: Vyberte dopravu
Identifikátor zboží TMEAPTGT100DH60TG
Minimální množství 12

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 600V

ManufacturerMICROCHIP (MICROSEMI)
Type of moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyasymmetrical bridge
TopologyNTC thermistor
Max. off-state voltage600V
Collector current100A
CaseSP4
Electrical mountingFASTON connectors
Electrical mountingsoldering
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current200A
TechnologyField Stop
TechnologyTrench
Mechanical mountingscrew