[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

tranzistorové moduly MOSFET

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET

Modul dioda SiC/tranzistor 1kV 110A SP6 Ugs ±30V Idm 580A
MICROCHIP (MICROSEMI)

Modul dioda SiC/tranzistor 1kV 110A SP6 Ugs ±30V Idm 580A

MICROCHIP (MICROSEMI) APTM100UM65SCAVG - Tranzistorové moduly MOSFET

Jen na objednávku
(cena s DPH): 10 057.6 Kč
(cena bez DPH): 8 312.0 Kč
Množství 3+ ks Více
Cena/ks 8 312.03 Kč Cena dotazem
Poplatky za dopravu
Načítám možnosti dopravy...
Cena vč. dopravy: Vyberte dopravu
Identifikátor zboží TMEAPTM100UM65SCAVG
Minimální množství 3

Modul dioda SiC/tranzistor 1kV 110A SP6 Ugs ±30V Idm 580A

VýrobceMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ modulutranzistorový MOSFET
Struktura polovodičedioda SiC/tranzistor
Napětí drain-source1kV
Proud drainu110A
PouzdroSP6
Topologiejeden tranzistor + sériová dioda + paralelní dioda
Elektrická montážpřišroubováním
Odpor v sepnutém stavu78mΩ
Impulsní proud kolektoru580A
Ztrátový výkon3.25kW
TechnologiePOWER MOS 7®
TechnologieSiC
Napětí gate-source±30V
Mechanická montážpřišroubováním