[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

tranzistorové moduly MOSFET

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET

Modul dioda SiC/tranzistor 1,2kV 268A SP3F Press-in PCB SiC
MICROCHIP (MICROSEMI)

Modul dioda SiC/tranzistor 1,2kV 268A SP3F Press-in PCB SiC

MICROCHIP (MICROSEMI) MSCSM120AM08CT3AG - Tranzistorové moduly MOSFET

Jen na objednávku
(cena s DPH): 10 709.0 Kč
(cena bez DPH): 8 850.4 Kč
Množství 2+ ks Více
Cena/ks 8 850.38 Kč Cena dotazem
Poplatky za dopravu
Načítám možnosti dopravy...
Cena vč. dopravy: Vyberte dopravu
Identifikátor zboží TMEMSCSM120AM08CT3AG
Minimální množství 2

Modul dioda SiC/tranzistor 1,2kV 268A SP3F Press-in PCB SiC

VýrobceMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ modulutranzistorový MOSFET
Struktura polovodičedioda SiC/tranzistor
Napětí drain-source1.2kV
Proud drainu268A
PouzdroSP3F
Topologiepolomůstek MOSFET + paralelní diody
Topologietermistor NTC
Elektrická montážPress-in PCB
Odpor v sepnutém stavu7.8mΩ
Impulsní proud kolektoru675A
Ztrátový výkon1409W
TechnologieSiC
Mechanická montážpřišroubováním