GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
MICROCHIP (MICROSEMI) APTM120DA30CT1G - Tranzistorové moduly MOSFET
| Identifikátor zboží | TMEAPTM120DA30CT1G |
| Minimální množství | 12 |
Modul dioda SiC/tranzistor 1,2kV 23A SP1 Ugs ±30V Idm 195A
| Výrobce | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Struktura polovodiče | dioda SiC/tranzistor |
| Napětí drain-source | 1.2kV |
| Proud drainu | 23A |
| Pouzdro | SP1 |
| Topologie | boost chopper |
| Topologie | termistor NTC |
| Elektrická montáž | Press-in PCB |
| Odpor v sepnutém stavu | 360mΩ |
| Impulsní proud kolektoru | 195A |
| Ztrátový výkon | 657W |
| Technologie | POWER MOS 8® |
| Technologie | SiC |
| Napětí gate-source | ±30V |
| Mechanická montáž | přišroubováním |