Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

tranzistorové moduly MOSFET

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET


MICROCHIP (MICROSEMI)

Modul dioda SiC/tranzistor 1,2kV 23A SP1 Ugs ±30V Idm 195A

MICROCHIP (MICROSEMI) APTM120DA30CT1G - Tranzistorové moduly MOSFET

Jen na objednávku
(cena s DPH): 2 511.9 Kč
(cena bez DPH): 2 076.0 Kč
Množství 12+ ks Více
Cena/ks 2 075.95 Kč Cena dotazem
Poplatky za dopravu
Načítám možnosti dopravy...
Cena vč. dopravy: Vyberte dopravu
Identifikátor zboží TMEAPTM120DA30CT1G
Minimální množství 12

Modul dioda SiC/tranzistor 1,2kV 23A SP1 Ugs ±30V Idm 195A

VýrobceMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ modulutranzistorový MOSFET
Struktura polovodičedioda SiC/tranzistor
Napětí drain-source1.2kV
Proud drainu23A
PouzdroSP1
Topologieboost chopper
Topologietermistor NTC
Elektrická montážPress-in PCB
Odpor v sepnutém stavu360mΩ
Impulsní proud kolektoru195A
Ztrátový výkon657W
TechnologiePOWER MOS 8®
TechnologieSiC
Napětí gate-source±30V
Mechanická montážpřišroubováním